Алфёров Жорес Иванович

Жорес Иванович Алфёров — великий советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике (2000), академик АН СССР (1979) и РАН, вице-президент РАН (1991–2017), лауреат Ленинской премии (1972) и Государственной премии СССР (1984), полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством». Основоположник современной физики полупроводниковых гетероструктур и оптоэлектроники, чьи открытия заложили фундамент для создания волоконно-оптического Интернета, сотовой связи, светодиодов, солнечных батарей и лазерных считывателей.

Происхождение, белорусское детство и обучение в ЛЭТИ

Жорес Алфёров родился 15 марта 1930 года в Витебске (Белорусская ССР) в семье пламенных революционеров. Его отец, Иван Карпович Алфёров, был уполномоченным ВЦИК и директором целлюлозно-бумажных комбинатов; мать, Анна Владимировна Розенблюм, работала библиотекарем. Назван в честь французского трибуна Жана Жореса (его старший брат Маркс погиб в 1944 году под Корсунь-Шевченковским).

Школьные годы Алфёрова прошли в Сталинграде, Новосибирске и Минске. В 1947 году окончил Минскую мужскую школу № 42 с золотой медалью.

В 1947 году поступил в Ленинградский электротехнический институт имени В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ), который с отличием окончил в 1952 году по специальности «Электрофизика».

Физтех имени Иоффе и физика гетероструктур (1953–1970-е)

В 1953 году 23-летний Алфёров стал научным сотрудником легендарного Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе АН СССР в Ленинграде (возглавлял ФТИ с 1987 по 2003 год):

• Первые транзисторы: В начале 1950-х годов в группе В. М. Тучкевича участвовал в разработке первых советских германиевых транзисторов и силовых выпрямителей.
• Идея гетероструктур (1963): В 1963 году Алфёров сформировал революционную научную концепцию применения полупроводниковых гетероструктур (сопряжения двух разных полупроводников на атомном уровне) для абсолютного управления электронными и световыми потоками.
• Гетеролазер при комнатной температуре (1968–1970): В 1968–1970 годах лаборатория Алфёрова впервые в мире создала полупроводниковый гетеролазер, работающий непрерывно при комнатной температуре (на основе арсенида галлия и арсенида алюминия-галлия), совершив настоящий научный прорыв.

Нобелевская премия 2000 года и технологическая революция

В 2000 году Нобелевский комитет Шведской королевской академии наук присудил Жоресу Алфёрову Нобелевскую премию по физике (совместно с американскими физиками Гербертом Крёмером и Джеком Килби) с формулировкой: «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике»:

• Практические плоды открытий: Открытия Алфёрова стали основой для создания сверхвысокоскоростных транзисторов в мобильных телефонах, компактных лазеров в проигрывателях CD/DVD и сканерах штрихкодов, высокоэффективных солнечных батарей для космических станций и светодиодного освещения (LED). Без гетероструктур Алфёрова немыслима работа современного быстрого Интернета через волоконно-оптические линии связи.

Основание Академического университета и государственная деятельность

В 1989–2017 годах являлся председателем Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.

В 2002 году основал и возглавил уникальный Санкт-Петербургский академический университет РАН (ныне Академический университет имени Ж. И. Алфёрова), готовивший молодых физиков и биотехнологов.

С 1995 по 2019 год являлся депутатом Государственной думы РФ всех созывов (возглавлял фракционную работу по поддержке отечественной науки и высшего образования).

Был женат вторым браком на Тамаре Георгиевне Дарской (в браке родился сын Иван).

Жорес Иванович Алфёров скончался от острой сердечно-лёгочной недостаточности 1 марта 2019 года в Санкт-Петербурге на 89-м году жизни. Похоронен на Комаровском кладбище под Санкт-Петербургом.